近日，由北京三聚陽(yáng)光知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司和北京易聚律師事務(wù)所聯(lián)合代理請(qǐng)求人無(wú)錫樂(lè)爾科技有限公司的一件專利無(wú)效宣告結(jié)案。國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局作出第422001號(hào)無(wú)效決定，宣告權(quán)利人江蘇多維科技有限公司的201210205416.8號(hào)“線性薄膜磁阻傳感器”專利權(quán)全部無(wú)效。 此前，我方已為無(wú)錫樂(lè)爾成功處理多件專利糾紛，其中【（2020）最高法知民終1258號(hào)上訴人無(wú)錫樂(lè)爾科技有限公司、白建民與被上訴人江蘇多維科技有限公司專利權(quán)權(quán)屬糾紛案】入選了最高人民法院知識(shí)產(chǎn)權(quán)法庭典型案例。

　　本專利權(quán)利要求1如下： “1. 一種線性薄膜磁阻傳感器，其特征是，包括： 種子層； 參考層，位于所述種子層上，具有第一磁矩； 非磁性隔離層，位于所述參考層上，將參考層與磁性自由層隔離； 磁性自由層，位于非磁性隔離層上，具有第二磁矩，所述磁性自由層的第二磁矩具有垂直于膜面的各向異性，且第二磁矩的方向與第一磁矩的方向相互垂直； 所述磁性自由層的第二磁矩在非磁性隔離層的晶格結(jié)構(gòu)作用下產(chǎn)生垂直于膜面的各向異性時(shí)，磁性自由層的材料包括 CoFeB，或 CoFeB 與 Ta 形成的復(fù)合層，或 CoFeB、Ru 與 Ta 形成的復(fù)合層、或CoFeB、Ta、Ru 與 Ta 形成的復(fù)合層 所述參考層包括非磁性釘扎層及磁性被釘扎層，所述非磁性釘扎層位于種子層上，磁性被釘扎層位于非磁性釘扎層上；非磁性釘扎層與磁性被釘扎層產(chǎn)生交換耦合場(chǎng)，所述交換耦合場(chǎng)在磁性被釘扎層上具有第一磁矩。

　　專利法第 22 條第 3 款規(guī)定：創(chuàng)造性，是指與現(xiàn)有技術(shù)相比，該發(fā)明具有突出的實(shí)質(zhì)性特點(diǎn)和顯著的進(jìn)步，該實(shí)用新型具有實(shí)質(zhì)性特點(diǎn)和進(jìn)步。

　　涉案專利權(quán)利要求 1 要求保護(hù)一種線性薄膜磁阻傳感器，其包括兩個(gè)并列技術(shù)方案，其區(qū)別僅在于技術(shù)方案一包括特征“磁性自由層的材料包括 CoFeB”，技術(shù)方案二包括特征“磁性自由層的材料包括CoFeB 與 Ta 形成的復(fù)合層，或 CoFeB、Ru 與 Ta 形成的復(fù)合層、或 CoFeB、Ta、Ru 與 Ta 形成的復(fù)合層”。

　　我方認(rèn)為，我方提交的證據(jù) 1 與本專利均屬于薄膜磁阻元件領(lǐng)域，磁存儲(chǔ)和測(cè)量均為薄膜磁阻元件常見的應(yīng)用領(lǐng)域，其均是應(yīng)用了磁阻元件中自由層磁矩方向隨著外界磁場(chǎng)方向的變換導(dǎo)致磁阻線性變化的特性，也均面臨著自由層磁矩方向隨著外界磁場(chǎng)變化時(shí)減小磁滯以提高存儲(chǔ)的準(zhǔn)確性或測(cè)量的靈敏度的問(wèn)題。證據(jù) 1 是采用貴金屬的方式獲得垂直磁矩，而本領(lǐng)域技術(shù)人員為了降低成本，有動(dòng)機(jī)尋找其它的獲得垂直磁矩的方式以對(duì)證據(jù) 1 的技術(shù)方案進(jìn)行改進(jìn)。

　　而我方提交的證據(jù) 4 公開了垂直各向異性 CoFeB-MgO 磁隧道結(jié)具有包含磁滯低、熱穩(wěn)定性高、反轉(zhuǎn)電流低等一系列特性，且通過(guò) MgO 和 CoFeB 之間的界面各向異性足以實(shí)現(xiàn)高性能的垂直 CoFeB-MgO MTJ，不需要利用額外貴金屬。本領(lǐng)域技術(shù)人員在測(cè)量的應(yīng)用場(chǎng)景下面臨減小磁滯并降低成本的技術(shù)問(wèn)題時(shí)，可以從證據(jù) 4 公開的垂直各向異性 CoFeB-MgO 磁隧道具有磁滯低且成本低的特性中獲得啟示，即本領(lǐng)域技術(shù)人員容易想到將證據(jù) 4 公開的上述特征應(yīng)用于證據(jù) 1 的技術(shù)方案中，以降低證據(jù) 1 獲得垂直磁矩的成本。并且，磁性自由層的材料包括 CoFeB、Ta、Ru與 Ta 形成的復(fù)合層也是本領(lǐng)域技術(shù)人員在證據(jù) 4 給出的各層結(jié)構(gòu)上容易想到的常規(guī)選擇。

　　因此，在證據(jù) 1 的基礎(chǔ)上結(jié)合證據(jù) 4 以及本領(lǐng)域公知常識(shí)，獲得本專利權(quán)利要求 1 技術(shù)方案一和二的技術(shù)方案，對(duì)本領(lǐng)域技術(shù)人員而言是顯而易見的，權(quán)利要求 1 技術(shù)方案一和二均不具備專利法第 22條第 3 款規(guī)定的創(chuàng)造性。