近日，由北京三聚陽光知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司和北京易聚律師事務(wù)所聯(lián)合代理請求人無錫樂爾科技有限公司的一件專利無效宣告結(jié)案。國家知識產(chǎn)權(quán)局作出第422001號無效決定，宣告權(quán)利人江蘇多維科技有限公司的201210205416.8號“線性薄膜磁阻傳感器”專利權(quán)全部無效。 此前，我方已為無錫樂爾成功處理多件專利糾紛，其中【（2020）最高法知民終1258號上訴人無錫樂爾科技有限公司、白建民與被上訴人江蘇多維科技有限公司專利權(quán)權(quán)屬糾紛案】入選了最高人民法院知識產(chǎn)權(quán)法庭典型案例。

　　本專利權(quán)利要求1如下： “1. 一種線性薄膜磁阻傳感器，其特征是，包括： 種子層； 參考層，位于所述種子層上，具有第一磁矩； 非磁性隔離層，位于所述參考層上，將參考層與磁性自由層隔離； 磁性自由層，位于非磁性隔離層上，具有第二磁矩，所述磁性自由層的第二磁矩具有垂直于膜面的各向異性，且第二磁矩的方向與第一磁矩的方向相互垂直； 所述磁性自由層的第二磁矩在非磁性隔離層的晶格結(jié)構(gòu)作用下產(chǎn)生垂直于膜面的各向異性時，磁性自由層的材料包括 CoFeB，或 CoFeB 與 Ta 形成的復(fù)合層，或 CoFeB、Ru 與 Ta 形成的復(fù)合層、或CoFeB、Ta、Ru 與 Ta 形成的復(fù)合層 所述參考層包括非磁性釘扎層及磁性被釘扎層，所述非磁性釘扎層位于種子層上，磁性被釘扎層位于非磁性釘扎層上；非磁性釘扎層與磁性被釘扎層產(chǎn)生交換耦合場，所述交換耦合場在磁性被釘扎層上具有第一磁矩。

　　專利法第 22 條第 3 款規(guī)定：創(chuàng)造性，是指與現(xiàn)有技術(shù)相比，該發(fā)明具有突出的實質(zhì)性特點和顯著的進步，該實用新型具有實質(zhì)性特點和進步。

　　涉案專利權(quán)利要求 1 要求保護一種線性薄膜磁阻傳感器，其包括兩個并列技術(shù)方案，其區(qū)別僅在于技術(shù)方案一包括特征“磁性自由層的材料包括 CoFeB”，技術(shù)方案二包括特征“磁性自由層的材料包括CoFeB 與 Ta 形成的復(fù)合層，或 CoFeB、Ru 與 Ta 形成的復(fù)合層、或 CoFeB、Ta、Ru 與 Ta 形成的復(fù)合層”。

　　我方認為，我方提交的證據(jù) 1 與本專利均屬于薄膜磁阻元件領(lǐng)域，磁存儲和測量均為薄膜磁阻元件常見的應(yīng)用領(lǐng)域，其均是應(yīng)用了磁阻元件中自由層磁矩方向隨著外界磁場方向的變換導(dǎo)致磁阻線性變化的特性，也均面臨著自由層磁矩方向隨著外界磁場變化時減小磁滯以提高存儲的準(zhǔn)確性或測量的靈敏度的問題。證據(jù) 1 是采用貴金屬的方式獲得垂直磁矩，而本領(lǐng)域技術(shù)人員為了降低成本，有動機尋找其它的獲得垂直磁矩的方式以對證據(jù) 1 的技術(shù)方案進行改進。

　　而我方提交的證據(jù) 4 公開了垂直各向異性 CoFeB-MgO 磁隧道結(jié)具有包含磁滯低、熱穩(wěn)定性高、反轉(zhuǎn)電流低等一系列特性，且通過 MgO 和 CoFeB 之間的界面各向異性足以實現(xiàn)高性能的垂直 CoFeB-MgO MTJ，不需要利用額外貴金屬。本領(lǐng)域技術(shù)人員在測量的應(yīng)用場景下面臨減小磁滯并降低成本的技術(shù)問題時，可以從證據(jù) 4 公開的垂直各向異性 CoFeB-MgO 磁隧道具有磁滯低且成本低的特性中獲得啟示，即本領(lǐng)域技術(shù)人員容易想到將證據(jù) 4 公開的上述特征應(yīng)用于證據(jù) 1 的技術(shù)方案中，以降低證據(jù) 1 獲得垂直磁矩的成本。并且，磁性自由層的材料包括 CoFeB、Ta、Ru與 Ta 形成的復(fù)合層也是本領(lǐng)域技術(shù)人員在證據(jù) 4 給出的各層結(jié)構(gòu)上容易想到的常規(guī)選擇。

　　因此，在證據(jù) 1 的基礎(chǔ)上結(jié)合證據(jù) 4 以及本領(lǐng)域公知常識，獲得本專利權(quán)利要求 1 技術(shù)方案一和二的技術(shù)方案，對本領(lǐng)域技術(shù)人員而言是顯而易見的，權(quán)利要求 1 技術(shù)方案一和二均不具備專利法第 22條第 3 款規(guī)定的創(chuàng)造性。