近日，由北京三聚陽(yáng)光知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司、北京易聚律師事務(wù)所聯(lián)合代理請(qǐng)求人與江蘇多維科技有限公司的一件專利無(wú)效宣告結(jié)案。國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局作出第561928號(hào)無(wú)效決定，宣告多維公司擁有的第201310111100.7號(hào)“推挽式芯片翻轉(zhuǎn)半橋磁阻開(kāi)關(guān)”發(fā)明專利權(quán)全部無(wú)效。

　　專利法第 22 條第 3 款規(guī)定：創(chuàng)造性，是指與現(xiàn)有技術(shù)相比，該發(fā)明具有突出的實(shí)質(zhì)性特點(diǎn)和顯著的進(jìn)步，該實(shí)用新型具有實(shí)質(zhì)性特點(diǎn)和進(jìn)步。

　　如果一項(xiàng)權(quán)利要求要求保護(hù)的技術(shù)方案相對(duì)于最接近現(xiàn)有技術(shù)所存在的區(qū)別，已被其他現(xiàn)有技術(shù)證據(jù)公開(kāi)，并且所解決的技術(shù)問(wèn)題相同，本領(lǐng)域技術(shù)人員在這些證據(jù)所給出的技術(shù)啟示下，可將上述區(qū)別應(yīng)用到最接近現(xiàn)有技術(shù)中得到該項(xiàng)權(quán)利要求所限定的技術(shù)方案，則該技術(shù)方案不具備創(chuàng)造性。?

　　具體到本案中，本專利權(quán)利要求1要求保護(hù)的技術(shù)方案如下： 一種推挽式半橋磁阻開(kāi)關(guān)，包括兩個(gè)磁傳感芯片，每個(gè)磁傳感芯片具有一個(gè)磁感應(yīng)電阻器以及磁感應(yīng)電阻器的電氣連接焊盤，其特征在于：所述兩個(gè)磁傳感芯片電氣互連，釘扎層的磁化矢量相對(duì)彼此旋轉(zhuǎn) 180 度以使二者感應(yīng)方向反平行，構(gòu)成推挽式半橋電路，其中，兩個(gè)磁傳感芯片被布置為感應(yīng)軸方向相同但感應(yīng)方向相反，并且感應(yīng)軸的方向與兩個(gè)磁傳感芯片中心之間的連線平行或垂直，所述磁感應(yīng)電阻器包括一個(gè)或多個(gè)串聯(lián)連接的磁電阻元件，所述磁感應(yīng)電阻器的焊盤位于其所在磁傳感芯片的相鄰邊，且每一焊盤被拉長(zhǎng)能夠容納至少兩個(gè)焊線的焊接。

　　本案證據(jù)3是 CN102298125A 號(hào)中國(guó)發(fā)明專利申請(qǐng)，該證據(jù)公開(kāi)了一種推挽橋式磁電阻傳感器，具體公開(kāi)了如下內(nèi)容：構(gòu)成該傳感器的包括一對(duì)或多對(duì) MTJ 或 GMR 磁電阻傳感器芯片具有相似的 RH 和 RL 值，其中每對(duì)中有一個(gè)傳感器芯片相對(duì)另一個(gè)旋轉(zhuǎn) 180 度，且該傳感器芯片附于一標(biāo)準(zhǔn)半導(dǎo)體封裝引線框，磁電阻芯片通過(guò)引線相互接合，并通過(guò)引線與引線框連接，傳感器芯片可包含用夾層中導(dǎo)線串聯(lián)起來(lái)的一個(gè)陣列的 MTJ或 GMR 元件以增加整個(gè)芯片的電阻。結(jié)合附圖 6、7 所示出的半橋電路，芯片的感應(yīng)軸與兩個(gè)芯片中心之間的連線垂直，且兩芯片的感應(yīng)方向相反。

　　將本專利權(quán)利要求 1 與證據(jù) 3 相比，區(qū)別在于：（1）本專利限定的是一種推挽式半橋磁阻開(kāi)關(guān)，證據(jù) 3 僅公開(kāi)有磁阻傳感器芯片構(gòu)成的推挽式半橋電路，并未明確其為開(kāi)關(guān)電路；（2）本專利方案 1限定兩個(gè)磁傳感器感應(yīng)軸的方向與兩個(gè)磁傳感器芯片中心之間的連線平行，與證據(jù) 3 所公開(kāi)的相垂直的位置關(guān)系不同；（3）本專利限定磁感應(yīng)電阻還可以是一個(gè)磁電阻元件，證據(jù) 3 中僅公開(kāi)多個(gè)磁電阻元件串聯(lián)的方式；（4）本專利限定焊盤位于其所在磁傳感芯片的相鄰邊，且每一焊盤被拉長(zhǎng)能夠容納至少兩個(gè)焊線的焊接，證據(jù) 3 中分別在芯片的四個(gè)角位置設(shè)置共焊接用的方形或圓形焊盤，且每個(gè)焊盤僅容納一個(gè)焊線。

　　對(duì)于區(qū)別（1），證據(jù) 4 公開(kāi)了由磁電阻元件進(jìn)行半橋連接后構(gòu)成開(kāi)關(guān)傳感器的技術(shù)方案，對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員而言，對(duì)于由磁電阻元件構(gòu)成的推挽半橋電路與相應(yīng)功能電路連接后構(gòu)成開(kāi)關(guān)傳感器已是現(xiàn)有技術(shù)，在證據(jù) 4 給出的這一具體應(yīng)用的技術(shù)啟示下，本領(lǐng)域技術(shù)人員容易想到將證據(jù) 3 所公開(kāi)的同樣是由磁電阻元件所構(gòu)成芯片以推挽半橋電路連接之后，配合相應(yīng)的功能電路構(gòu)成開(kāi)關(guān)傳感器的這一具體傳感器結(jié)構(gòu)，上述結(jié)合無(wú)需花費(fèi)創(chuàng)造性勞動(dòng)。

　　對(duì)于區(qū)別（2），由此可知，證據(jù) 5 公開(kāi)了如上述區(qū)別（2）所限定的芯片位置布置與其感應(yīng)軸相對(duì)關(guān)系的排布方式，同時(shí)在證據(jù) 5 中也是將相同結(jié)構(gòu)的兩個(gè)芯片通過(guò)反轉(zhuǎn) 180 度后進(jìn)行半橋連接構(gòu)成推挽半橋電路的，對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員而言，上述芯片的排布方式根據(jù)封裝要求是容易進(jìn)行相應(yīng)選擇和替換的，因而將證據(jù) 5 所公開(kāi)的布置方式替換證據(jù) 3 所公開(kāi)的布置方式無(wú)需花費(fèi)創(chuàng)造性勞動(dòng)。

　　對(duì)于區(qū)別（3），通常磁阻傳感器由磁阻元件構(gòu)成，根據(jù)磁阻元件的性能以及磁阻傳感器的要求，采用多個(gè)串聯(lián)構(gòu)成或是一個(gè)磁阻元件構(gòu)成磁阻傳感器均是本領(lǐng)域的常見(jiàn)的構(gòu)成方式，對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員而言是顯而易見(jiàn)的。

　　對(duì)于區(qū)別（4），本專利中焊盤被拉長(zhǎng)以容納至少兩個(gè)焊線的焊接已被證據(jù) 6 公開(kāi)，同時(shí)對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員而言，在芯片進(jìn)行連線以構(gòu)成具體電路結(jié)構(gòu)時(shí)，焊盤上需要連接多個(gè)引線以及盡量避免引線間交叉的問(wèn)題是非常常見(jiàn)的問(wèn)題，在證據(jù) 6 已公開(kāi)通過(guò)擴(kuò)大連接墊、即擴(kuò)大焊盤面積從而提供連接多條引線可能性的情況下，本領(lǐng)域技術(shù)人員有動(dòng)機(jī)對(duì)證據(jù) 3 所公開(kāi)的芯片中的焊盤結(jié)構(gòu)進(jìn)行相應(yīng)改進(jìn)。在證據(jù) 6 已給出擴(kuò)大焊盤面積以提供多條引線連接的技術(shù)啟示下，結(jié)合上述本領(lǐng)域公知常識(shí)，對(duì)證據(jù) 3 中所公開(kāi)焊盤進(jìn)行相應(yīng)改進(jìn)是無(wú)需花費(fèi)創(chuàng)造性勞動(dòng)的，并且根據(jù)實(shí)際連線需求設(shè)計(jì)相應(yīng)的焊盤位置也是常見(jiàn)的設(shè)計(jì)手段，能夠一定程度上提高連線自由度的技術(shù)效果也是應(yīng)運(yùn)而生的，上述區(qū)別無(wú)法使本專利具備突出的實(shí)質(zhì)性特點(diǎn)和顯著的進(jìn)步。

　　由上可見(jiàn)，上述 4 個(gè)區(qū)別分別被證據(jù) 4、5、6 公開(kāi)或?qū)儆诒绢I(lǐng)域公知常識(shí)，且本領(lǐng)域技術(shù)人員在相應(yīng)技術(shù)啟示下可將上述手段應(yīng)用到證據(jù) 3 中以獲得權(quán)利要求 1 所限定方案 1 的技術(shù)方案，并獲得相同的技術(shù)效果，上述結(jié)合無(wú)需花費(fèi)創(chuàng)造性勞動(dòng)，因此，本專利權(quán)利要求 1 所限定的方案 1 相對(duì)于證據(jù) 3-6 以及公知常識(shí)的結(jié)合不具備創(chuàng)造性。